Specifications
- Capacité4 To
- FormatM.2 2280
- Lecture séquentielle 7 250 Mo/s
- Écriture séquentielle 6 300 Mo/s
- Interface PCIe 4.0 x4 et 5.0 x2 NVMe 2.0
- MémoireSamsung V-NAND TLC
1.299,000 DT
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